MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同 ...

目前，几乎所有产品都使用一种或组合使用若干种基于电荷存储的易失性存储器DRAM和SRAM，以及非易失性存储器NOR和NAND闪存。MRAM是最近的新兴技术之一。STT-MRAM可以取代低密度DRAM和SRAM，特别是在移动和存储设备应用。但STT-MRAM是何方神圣？它与其他存储技术 ...

量产闪存（eFlash）技术在28nm节点触达极限，磁性随机存储器（MRAM）作为一种新型存储器技术，在高可靠高性能MCU及SoC 中逐步实现应用。 半导体头部代工厂如台积电（TSMC）、三星（Samsung）、格罗方德（Globalfoundries）等推出eMRAM IP早期服务于物联网、可穿戴及 ...