冯·诺依曼瓶颈导致处理器与内存速度不匹配，影响能效与性能。本文提出DST-SRAM架构，通过动态切换技术实现SRAM、CAM和IMC的可重构转换，采用单端写入电路降低功耗。基于台积电40nm工艺实现256×64单元验证，功耗延迟积较现有架构降低56%。 摘要： 大多数现代 ...